Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
SYSCOM- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia de operación de 2 a 30 MHz
- Potencia máxima de 12.5 Watts
- Voltaje colector-emisor de 12.5 VCC
- Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
- Diseñado para alta eficiencia en RF
- Modelo
- MRF433
- Marca
- SYSCOM
- SAT
- 32111607
- SAP
- —
- Garantía
- 3 años
Descripción
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz
- Manejo de potencia hasta 12.5 Watts
- Voltaje de colector-emisor hasta 12.5 VCC
- Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
Especificaciones Técnicas
- Tipo: Transistor de Silicio NPN
- Rango de Frecuencia: 2-30 MHz
- Voltaje: 12.5 Vcc
- Potencia: 12.5 Watt
- Encapsulado: 211-07